Подразделения североамериканских отделений компаний Fujitsu и Toshiba сообщили о совместном выпуске спецификации второго поколения Fast Cycle RAM продуктов, с циклом произвольного доступа в 25 нс, с тактовыми частотами до 200 МГц и скоростью обмена данными до 400 Мбит/с.
Новые FCRAM продукты, согласно спецификации, будут на 17% быстрее чипов первого поколения, производительность новой памяти увеличится на 30%. Новое поколение FCRAM продуктов будет производиться с использованием норм 0,175 мкм техпроцесса и будет доступно в 8- и 16-битных вариантах. Новые чипы будут иметь напряжение питания 2,5 В и выпускаться в TSOP исполнении.
Основное назначение FCRAM-II - использование в высокоскоростных сетевых системах, серверах, интернет-ориентированных устройствах.
Fujitsu и Toshiba уверены, что принятие общей для компаний спецификации скоростной FCRAM позволит им обеспечить уверенное продвижение нового стандарта на рынок. Несмотря на совместную работу над спецификацией FCRAM-II, Fujitsu и Toshiba будут производить и продвигать на рынок свои продукты независимо друг от друга.
Напомним: технология FCRAM - это комбинация емкости DRAM с производительностью SRAM. Архитектура FCRAM использует DDR интерфейс. Первое поколение FCRAM обеспечивало скорость страничной выборки в 30 нс при производительности в 308 Мбит/с.
По заявлению представителей Toshiba, компания намерена представить образцы второго поколения FCRAM в феврале. Варианты чипов - 256 Мб с организацией 32M x 8 DDR FCRAM (TC59LM806CFT) и 256 Мбит с организацией 32M x 16 DDR FCRAM (TC59LM814CFT). Цена чипов составит порядка $60 за штуку, массовое производство начнется во втором квартале 2002 года на фабрике в Йокаичи (Yokkaichi), Япония.