Исследовательская группа IMEC анонсировала о своих намерениях разработать технологии и устройства, позволяющие применять 193 нм литографию для производства ИС по нормам гораздо менее 0,1 мкм. Это правильное направление для исследовательских работ, считает большинство аналитиков. Ведь, несмотря на то, что длинна волны в 157 нм, вроде бы, уже недалека от воплощения в реальных литографических установках, много элементов литографии с использованием 157 нм еще не доработаны. К примеру, нужны будут очень качественные линзы со сверх-высокой числовой апертурой, новые формулы резистов и т.д.
Как мы уже отмечали, Международный Технологический полупроводниковый роадмэп (International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS) подразумевает переход на 157 нм оборудование ближе к 2007 году, с введением 0,065 мкм техпроцесса.
До этого времени необходимо приспособить 193 нм для работы с разрешениями 0,09 - 0,07 мкм, чем и собирается заняться IMEC.
В исследовании будет использоваться степ-скан агрегат ASML PAS5500/1100, соединенный с линией покрытия резистом ACT8 от Tokyo Electron. Все это будет установлено на пилотном 200 мм конвейере IMEC.
Сама же IMEC предлагает всем компаниям, непосредственно связанным с производством/разработкой литографического и связанного с ним оборудования участвовать в программе.