Компания SCT (Silicon Crystal Technologies) сообщила о получении патента (No. 6334899, название Continuous Crystal Plate Growth Apparatus) на технологию обработки, очистки фторида кальция и роста кристаллов. Эту технологию SCT разрабатывала с 1995 г.
Технология предназначена для очистки фторида кальция, используемого при изготовлении оптических линз для 193 нм и 157 нм литографических инструментов.
Традиционно используемые для видимого спектра линзы из кварцевого стекла не подходят для ультрафиолета, так как имеют слишком большой коэффициент поглощения оптического излучения для длин волн меньше 157 нм. Поэтому разработчикам литографического оборудования для производителей полупроводниковых микросхем приходится искать новые материалы для преодоления этой проблемы. Но с фторидом кальция тоже не все так просто - необходимо, чтобы линзы изготавливались из монокристаллического, очень чистого CaF2. Низкое качество получаемых в настоящее время кристаллов фторида кальция, к сожалению, снижает эффективность применения этого материала.
Кирилл А. Панделисев (Dr. Kiril A. Pandelisev), ведущий научный сотрудник и главный управляющий SCT сообщил, что в лучшем случае из всех кристаллов фторида кальция получается лишь 3-5%, удовлетворяющих требованиям 157-нм оптики. Поэтому был предложен новый метод очистки фторида кальция, позволяющий эффективно и подконтрольно удалить ненужные примеси. К примеру, возможно удаление Эрбия (Er) и Лютеция (Lu), которое позволяет избавиться от флуоресценции на 157 нм, что, в свою очередь, приводит к формированию более контрастного изображения. Очистка от свинца (Pb) дополнительно уменьшает поглощение на 157 нм. Помимо этого, метод SCT позволяет контролировать содержание примесей и, таким образом, влиять на оптические свойства кристалла, в том числе, на характер двойного лучепреломления.
SCT также утверждает, что разработанный способ роста кристаллов может быть использован и для других материалов, не только для фторида кальция. В частности, для роста кристаллов CaxBa1-xF2, CaxSr1-xF2 (1 < x < 0) или других кристаллов, которые невозможно вырастить по методу Бриджмана-Стокбаргера (Bridgman-Stockbarger) из-за проблем сегрегации и переохлаждения при кристаллизации.
Источник: Semiconductor Fabtech