В то время как технология FD (Fully Depleted - полностью обедненный) SOI у Intel пока только в роадмапах, OKI уже готовится к выпуску ИС, выполненных по этой технологии.
Хотя пока что речь идет о ИС малой степени интеграции, Oki заявила, что разработала технологию изготовления транзисторов на слое кремния (который на изоляторе - SOI) толщиной всего в 50 нм с областями стока и истока малого сопротивления. А это и есть решение задачи использования FD SOI, в котором сопротивления стока, истока и тонкостенных каналов сравнительно велики. Однако сильно уменьшается другой фактор, непосредственно влияющий на скорость работы транзистора - емкость p-n перехода.
Oki утверждает, что в небольших чипах для наручных часов, сделанных по FD SOI на пластинах от французской Soitec ее исследователи смогли добиться уменьшения энергопотребления на 75%(!).
И все же, это пока прототипы. К полномасштабному производству по FD SOI для изготовления как логических, так и RF-чипов ближнего действия (Bluetooth) Oki перейдет к весне следующего года. Не удивляйтесь, в RF технологии на FD SOI возможно создать интегральные пассивные реактивные компоненты с большей добротностью, чем обычные Si CMOS.