Этим ходом компания хочет в очередной раз продемонстрировать, что сложные полупроводники типа GaAs или InP не вытеснят кремний даже в СВЧ диапазоне и выше.
Новый кольцевой автогенератор от IBM имеет время задержки в 4,3 пс, тогда как у самых продвинутых схем на фосфиде индия этот показатель составляет 4,6 пс. На высоте у SiGe 8HP схемы еще один немаловажный фактор, на который в последнее время обращается особое внимание - энергопотребление. Оно довольно низкое, по сравнению с GaAs и InP.
Вдобавок, IBM заявила, что массовое производство схем по новой технологии начнется до конца этого года, а сейчас уже идет работа с клиентами, которые ранее всех имеют доступ к новшествам "голубого гиганта".
Сегодняшнее заявление - не дебют SiGe 8HP, его IBM продемонстрировала еще летом на примере дискретного транзистора, способного работать на частотах до 210 ГГц. Однако сегодняшний пример более показателен, ведь автогенератор - это законченная схема, без которой не обходится ни одно приемо-передающее устройство.
"Народ недооценивал расширяемость кремния" - завершил научный работник IBM.
Что ж, возможно он и прав.