Samsung Electronics сообщила о начале массового производства 256 Мбит SDRAM чипов на 300 мм пластинах. Компания утверждает, что фабрика в Хвасуне (Hwasung, Южная Корея), на которой с октября 2001 года обкатывалась линия по выпуску 300 мм пластин с использованием 0,15 мкм техпроцесса, сможет обеспечить производительность до 15 млн. чипов в год. По оценкам Samsung, мировой спрос на эти чипы в 2002 г. составит порядка 800 млн. единиц.
В дальнейших планах Samsung - начало массового производства 512 Мбит чипов с использованием 0,10 мкм техпроцесса. Произойдет это уже в 2003 году.