Samsung Electronics объявила о начале поставок образцов 256 Мбит чипов так называемой Network-DRAM, высокоскоростной памяти для коммуникационных устройств ранга 10Gb Ethernet и OC-192. Новая Network-DRAM полностью совместима с FCRAM, разработанной совместными усилиями Fujitsu и Toshiba. То есть, Network-DRAM - это название выбранное Samsung для семейства своих FCRAM чипов.
Цикл регенерации (tRC) у новых Network-DRAM чипов составляет 25 нс, что на 60% быстрее, чем 60 нс у DDR333, время ожидания (tRAC) у Network-DRAM составляет 22 нс, что на 40% быстрее, чем 35 нс у DDR333. Чипы работают при напряжении питания 2,5 В, наличие DDR SDRAM интерфейса позволяет чипам Network-DRAM работать на тактовой частоте 200 МГц и обеспечивать пропускную способность до 400 Мбит/с.
256 Мбит микросхемы Network-DRAM от Samsung выпускаются в x8 и x16 конфигурациях, с соблюдением 0,15 мкм норм техпроцесса, в 66-контактных TSOP2 корпусах. Образцы 256 Мбит чипов Network-DRAM K4C561638C (16Mb x 16) и K4C560838C (32Mb x 8) уже доступны, массовое производство начнется в третьем квартале 2002 года.
Следующим этапом, по словам представителей Samsung, будет разработка совместно с Toshiba Corporation и выпуск в 2003 году Network-DRAM микросхем следующего поколения с пропускной способностью до 667 Мбит/с и tRC до 20 нс.