На проведенной на прошлой неделе пресс-конференции для прессы, тайваньская UMC (United Microelectronics Corp.) официально объявила свои планы ввода в строй опытной линии по выпуску чипов с технологическими нормами 90 нм (0,09 мкм) с медными соединениями, low-k диэлектриками и SOI.
Линия по выпуску чипов с 90 нм нормами техпроцесса, называемого d UMC L90, будет полностью готова в третьем квартале 2002 года, первые опытные чипы предполагается выпустить уже в первом квартале 2003 года.
Помимо этого, представители UMC также подтвердили, что компания намерена использовать 193 нм литографические инструменты для работы с критичными слоями 90 нм чипов. Поставщики 193 нм инструментов - голландская ASML и японская Nikon.
90 нм техпроцесс UMC - L90 IP9M, представляет собой девятислойную технологию для выпуска логики с напряжением питания 1,0 – 1,2 В, с шириной затворов в пределах 0,08 – 0,045 мкм и использованием диэлектриков толщиной порядка 14 - 16 ангстрем, при этом, задержки при распространении сигнала в чипе снизятся до уровня 7 - 20 пс (в зависимости от версии техпроцесса). Помимо этого, во втором квартале 2003 года ожидается начало опытного производства с использованием 90 нм смешанного техпроцесса, в третьем квартале 2003 года и в 2004 году ожидается появление 90 нм техпроцессов, соответственно, eD90 и eD90s, для производства чипов со встроенной DRAM. Однако, для всех видов 90 нм техпроцессов от UMC базовым будет использование медных проводников, диэлектриков low-k 2.7.
На пресс-конференции также прозвучали слова о ускорении ввода в строй UMC линий по выпуску 300 мм пластин. В настоящее время компания работает над запуском в строй трех таких фабрик: Fab 12A – собственная фабрика UMC в южном Тайване, сингапурская фабрика UMCi – совместного предприятия UMC и Infineon, еще одна фабрика в Сингапуре, строящаяся AU Pte. Ltd. – СП UMC и AMD.