Атомарные запоминающие устройства – в ближайшие 20 лет

Ученые из Университета Мэдисон штата Висконсин США и Базельского Университета из Швейцарии утверждают, что разработали запоминающий элемент, информация в котором кодируется на атомарном уровне.

Как говорит профессор Франц Химпсель (Franz Himpsel), руководитель группы и ведущий исследователь, единица или ноль кодируется наличием или отсутствием единичных атомов кремния в определенных позициях.

Ученые покрыли кристалл кремния тонким слоем золота таким образом, что на поверхности образовались треки шириной по пять атомов каждый. Запись осуществляется убиранием атомов с края трека с помощью сканирующего туннельного микроскопа, а чтение производится при прохождении возле трека. Утверждается, что плотность записи при таком методе составляет около 250 Тбит/кв. дюйм (и это если не предел, то очень к тому близко). Есть, правда один недостаток, чтобы возместить недостаток убранных с треков при записи атомов, кристалл придется покрывать золотом заново. Вообще, все это сильно напоминает технологию Millipede IBM, только там плотность записи была поменьше – 1 Тбит/кв. см.

И есть еще одна проблема – скорость записи/считывания. Как считает профессор Химпсель, при приближении к пределу плотности записи скорость обмена данными с носителем информации будет снижаться все больше. Задача исследователей найти оптимальную комбинацию плотности записи и скорости обмена информации, и эта задача, считает он, может быть решена в течение ближайших десяти-двадцати лет.

26 июля 2002 в 16:29

Автор:

| Источник: Parasound

Все новости за сегодня

Календарь

июль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс