Сегодня корпорация Intel официально представила свой новый 90 нм технологический процесс. Стали известны дополнительные данные о самом техпроцессе, сроки и география его внедрения.
Первыми чипами, изготовленными Intel с применением 90 нм процесса, стали представленные в феврале нынешнего года микросхемы SRAM емкостью 52 Мбит. Эти микросхемы насчитывают 330 млн. транзисторов на площади 109 кв. мм. В настоящее время о новом техпроцессе известны следующие данные:
- Применение CMOS транзисторов с длиной затвора всего 50 нм Тонкий оксидный слой затвора - всего 1,2 нм (менее 5 атомарных слоев в толщину, для сравнения: транзисторы, используемые в производстве процессора Pentium 4, имеют длину затвора 60 нм)
- Реализация технологии напряженного кремния: в слоях напряженного кремния расстояние между атомами больше, чем в обычном полупроводнике. Итоговый результат – улучшение, по сведениям компании, на 10-20% рабочих характеристик транзисторов при росте затрат на производство всего в 2%.
- Производство чипов только на 300 мм кремниевых пластинах (рекорд Intel: более 120 млрд. транзисторов на 300 мм пластине)
- Возможность создавать процессоры с тактовыми частотами более 3 ГГц при уменьшении размера кристалла на 50%
- Семь слоев медных соединений
- Новый диэлектрик с низкой диэлектрической проницаемостью – легированный углеродом оксид кремния (CDO). Для формирования нового диэлектрика используется двухступенчатый процесс
- Современные 193 нм и 248 нм литографические установки
- В новом процессе будет задействовано около 75% технологического оборудования, применяемого в нынешнем 0,13 мкм процессе на 300 мм пластинах
Новый технологический процесс был разработан на опытном заводе Intel - D1C в Хиллсборо, штат Орегон. 90 нм техпроцесс, как гласит пресс-релиз компании, уже внедрен в массовое производство на заводе D1C и переносится на другие заводы.
К 2003 году Intel планирует реализовать 90 нм процесс на трех заводах, работающих с 300 мм пластинами. Не так давно было объявлено о возобновлении строительства производственного объекта на Fab 24 в Лейкслипе, Ирландия. Этот объект площадью более 1 млн. кв. футов и стоимостью около $2 млрд. изначально предназначен для изготовления компонентов на 300 мм кремниевых пластинах с применением 90 нм процесса.
Одним из первых серийных компонентов, производимых по новой технологии, станет основанный на микроархитектуре NetBurst и планируемый к выпуску во второй половине 2003 года процессор c кодовым названием Prescott.