Компания Samsung Semiconductor объявила о начале поставок образцов 1 Гб модулей памяти DDR266 с поддержкой автоматической коррекции ошибок (ECC), в исполнении SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module), для применения в сетевых и blade-серверах. Модули скомпонованы из девяти 1 Гбит чипов, что эквивалентно емкости 18 стандартных 512 Мбит чипов DDR DRAM.
Напряжение питания новых модулей составляет 2,5 В. Образцы 1 Гб модулей ECC SODIMM (M485L2923MTO-CBO) от Samsung доступны уже сейчас, массовое их производство начнется в сентябре 2002.