Только что Samsung Electronics опубликовала на своем сайте три пресс-релиза, посвященным новой стратегии работы своего подразделения по выпуску продуктов памяти - Samsung Memory Business Division. Именно об этом событии шла речь в нашей первой сегодняшней новости, теперь стали доступны подробности, в некотором роде, я бы сказал, даже захватывающие.
Итак, выяснилось, по какому поводу шум в печати: на утренней пресс-конференции в Сеуле компания официально представила свой 90 нм техпроцесс и объявила о начале пилотного производства 2 Гбит чипов флэш-памяти типа NAND с использованием нового техпроцесса.
Компания с гордостью представила свою рабочую линию по выпуску чипов с нормами 90 нм техпроцесса. Использование новой технологии, по словам представителей компании, позволит удвоить производительность производственных линий по сравнению с применяемым нынче на предприятиях Samsung 0,12 мкм техпроцессом. помимо 2 Гбит чипов флэш-памяти NAND, компания также намерена использовать свой новых техпроцесс в первую очередь для производства 512 Мбит и 1 Гбит чипов DRAM.
Нынешние чипы с нормами 90 нм техпроцесса получены на пилотной линии 11. дальнейшее внедрение технологии будет производиться на новой фабрике компании по выпуску 300 мм пластин под номером 12, которая начнет массовый выпуск чипов с нормами 90 нм в третьем квартале 2003 года.
Пару слов о самом 90 нм техпроцессе от Samsung: технология включает в себя использование новых аргон-фторидных (ArF) литографических инструментов, новых материалов (в том числе, новых пленок с высокой диэлектрической проницаемостью), а также новую концепцию структуры ячеек памяти (MNC BL). Кстати, размер ячеек флэш-памяти при использовании 90 нм технологии от Samsung составляет всего 0,05 кв. мкм.
Теперь – непосредственно о 2 Гбит чипах NAND флэша от Samsung. Предполагается, что миниатюрные 2 Гбит чипы NAND флэша можно будет упаковывать по четыре штуки в так называемые "четырех-чиповые корпуса" (Quad Die Package) для получения 8-гигабитных устройств, емкости которых достаточно для хранения до 80 минут видео с качеством уровня DVD. Впрочем, одного такого чипа достаточно для создания недорогой (благодаря низкой себестоимости производства) 256 Мб флэш-карты. В новых 2 Гбит чипах флэш-памяти используется новый изолирующий материал SSA-STi (Sacrificial Self Align Shallow Trench isolation). Именно это позволило Samsung, по словам представителей компании, объявить о разработке 2 Гбит чипов NAND флэш-памяти на год раньше сроков, запланированных ранее.