Главная » Новости » 2002 » 09 » 18 18 сентября 2002

В качестве альтернативы для будущих процессоров Intel предлагает трехмерный транзистор

На конференции International Solid-State Devices and Materials, прошедшей в японском городе Нагойа, корпорация Intel представила свою новую разработку: трехзатворный транзистор.

Жерар Марчик (Gerald Marcyk), директор отделения Intel по разработке компонент, считает, что трехзатворный транзистор, представленный на конференции, может быть использован в будущих чипах, производимых по 45-нм технологическим процессам, которые ожидаются к 2007 году.

Прототип трехмерного транзистора с тремя затворами был создан, используя нормы 130-нм техпроцесса и длина каждого его затвора составляет 65 нм. Компания утверждает, что трехмерность транзистора позволила улучшить передачу тока на 20% и снизить паразитный ток утечки в несколько десятков раз, что, кстати, сравнимо с улучшением этого показателя для КД-транзисторов (кремний-диэлектрик или SOI, silicon-on-insulator).

Как сообщил Марчик, Intel, равно как и другие компании-разработчики полупроводниковых чипов, ищут альтернативные способы производства элементов интегральных микросхем, нежели те, что используются сейчас. При этом Intel не собирается полностью отказываться от развития и обычных, “двухмерных” транзисторов и уже продемонстрировал прототип транзистора с 20-нм вентилем. Однако когда разработчики прикинули, какой будет ток утечки у процессора с 100-200 млн. транзисторов, они пришли в ужас и стали придумывать способы его уменьшить.

Одним из способов снизить ток утечки, к которому прибегли разработчики, стало применение технологии кремний-диэлектрик (КД или SOI). Но есть проблема: уровень логического нуля или единицы в таких транзисторах зависит от толщины диэлектрического слоя, причем оптимальная толщина составляет около 10 нм, и мало того, должна быть равномерной по всей поверхности чипа. Кстати сказать, в Intel уже рассматривали возможность разбиения чипа на области, где возможны вариации уровня логической единицы.

В качестве альтернативы TSMC собирается продемонстрировать свой подковообразный транзистор omega FET, а несколько компаний – FinFET (транзистор с “плавником”). Так что будем ждать дальнейшего развития событий.

Источник: Parasound

17:59 18.09.2002
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



Sorry, temp error.
сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2002

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.