Главная » Новости » 2002 » 09 » 20 20 сентября 2002

Трехмерный транзистор от Intel: подробности

В прошедшую среду мы уже рассказывали о том, что в Intel разработали трехмерную конструкцию транзистора с тройным затвором (см. нашу новость В качестве альтернативы для будущих процессоров Intel предлагает трехмерный транзистор). В частности, там сообщалось, что подробности о новой технологии будут представлены Intel на конференции International Solid-State Devices and Materials. Итак, дополняем наш материал.

Трехмерный трехзатворный транзистор от Intel имеет кубическую структуру, похожую на приподнятую горизонтальную плоскость с вертикальными стенками.


Подобная структура позволяет посылать электрические сигналы как по "крыше" транзистора, так по обеим его "стенам". За счет этого эффективно увеличивается площадь, доступная для прохождения электрических сигналов, – это похоже на расхождение однополосной дороги в широкое трехполосное шоссе, только в случае с транзистором не требуется дополнительного свободного места.

На конференции были продемонстрированы слайды, наглядно объясняющие разницу между привычным "двухмерным" FinFET транзистором...


В случае с традиционной структурой элементов литография становится существенным ограничителем скорости усовершенствования техпроцесса. Новый "трехмерный" транзистор...


... помимо прочего, будет работать более эффективно, проводя на 20 % больше тока выборки по сравнению с традиционной планарной конструкцией с аналогичным размером затвора.

Тройной затвор строится на ультратонком слое полностью обедненного кремния, что обеспечивает снижение тока утечки. Это позволяет транзистору быстрее включаться и выключаться при значительном снижении энергопотребления. Особенностью этой конструкции также являются поднятые исток и сток – в результате снижается сопротивление, что позволяет транзистору работать от тока меньшей мощности. Новая конструкция совместима с разрабатываемым в данный момент диэлектриком K-затвора с высокой проницаемостью, который позволит еще больше снизить утечку тока.

Intel планирует выпустить специальный технический документ, где будут освещаться производительность, энергопотребление и утечка тока новых транзисторов, а также внесенные в них значительные усовершенствования по сравнению с существующей конструкцией. Подробная информация о трехмерной конструкции транзисторов с тройным затвором будет выкладываться компанией по адресу www.intel.com/research/silicon.

Фотографии взяты с сайта PC Watch.

07:54 20.09.2002
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2002

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.