Главная » Новости » 2002 » 10 » 08 8 октября 2002

Новый способ увеличения добротности индуктивных элементов

Сообщается, что в лаборатории электронных компонент, технологий и материалов Delft Institute of Microelectronics разработали практический и экономный способ увеличения производительности индуктивных элементов в смешанных RF/CMOS-чипах. Для этого используется селективное наложение толстого слоя меди поверх индуктивных проводников, что позволяет увеличить добротность индуктивных элементов. Детально о новом способе будет рассказано на International Electron Devices Meeting, которое пройдет с 8 по 11 декабря в Сан-Франциско.

Новый способ позволяет решить следующую проблему: при уменьшении размера элемента CMOS уменьшается и количество проводящего вещества в проводниках. Из-за этого ухудшается проводимость проводников на высоких частотах ухудшается, а производительность чипа снижается.

Группа разработчиков из Delft предлагает добавлять слой металла (меди, а не алюминия, как предлагалось ранее) только для наиболее важных проводников. Слой меди наносится с помощью электролиза и его применение позволяет увеличить добротность до 3,2 раз.


Источник: Parasound

16:11 08.10.2002
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2002

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.