Питер Сильверман (Peter Silverman), глава подразделения Intel по капитальному литографическому оборудованию и один из участников международного симпозиума по вопросам внедрения и разработки EUV (extreme ultraviolet) оборудования - International EUV Symposium, в своей программной речи поделился своими соображениями по поводу перспектив внедрения EUV оборудования. Вот краткие тезисы:
Прежде чем говорить о коммерческом использовании EUV оборудования, EUV сканерам необходимо достичь производительности порядка 120 пластин в час. Сегодняшние прототипы имеют пиковую производительность обработки до 90 пластин в час, а с учетом времени на сервисное обслуживание – около 60 пластин в час
Индустрии была бы желательна цена EUV сканеров на уровне $20 млн. за штуку, между тем, эксперты ожидают ценового уровня в $50 млн. и даже выше. Помимо этого, стоимость фотомасок также неизмеримо возрастает
Начало коммерческой эксплуатации EUV систем ожидается в 2007 году, когда Intel и другие компании планируют перейти на нормы производства с узлами порядка 45 нм. Таким образом, готовые EUV бета-установки должны появиться в 2005 году
Оптимизм по поводу успешного продвижения разработки EUV литографического оборудования с 13,5 нм лазерами несколько омрачается ухудшением общей экономической ситуации в мире. Не исключено, что к моменту появления готовых EUV систем некоторые производители процессоров и памяти не смогут позволить себе покупку такого оборудования
По предварительным прикидкам, работа с нормами 45 нм техпроцесса потребует применения EUV литографии для четырех критичных слоев масок, для работы с остальными 11 слоями может с успехом использоваться 193 нм оборудование и даже в некоторых случаях 248 нм сканеры
Главная задача Intel – отладить EUV оборудование для обработки критических величин 45 нм техпроцесса. Предположительно, с этим техпроцессом будет использоваться 157 нм оборудование, хотя, возможно, удастся обойтись лишь 193 нм инструментами
Следующее поколение - технологический процесс с нормами 32 нм, внедрение которого ожидается в Intel в 2009 году, потребует применения EUV сканеров и масок для обработки девяти слоев. Вполне возможно. что индустрия обойдется без внедрения инструментов поколения 157 нм (Сильверман выразился так: "высококачественный фтористый кальций [необходимый для оптических систем 157 нм оборудования] до сих пор гораздо дороже золота"). Лишь 10% 193 нм сканеров, поставки которых уже начались, оборудованы оптикой на основе фторида кальция. В то же время ожидается, что в силу технологических особенностей, 157 нм сканеры все до единого будут оборудованы такой оптикой
EUV системы с высокой производительностью потребуют внедрения более мощных лазеров. Нынешние лучшие образцы ксеноновых лазеров имеют мощность порядка 10 Вт, в то время как требуется мощность порядка 100 и более ватт
Еще одной нынешней проблемой, стоящей на пути внедрения EUV установок, является недостаточная чувствительность резистов. Коммерческое внедрение EUV требует разработки фоторезистов с чувствительностью на уровне 2 мДж
В настоящее время единственным поставщиком EUV бета-систем является ASML, однако, японские Canon и Nikon также обещают начало поставок своих прототипов к 2005 году