Hynix Semiconductor анонсировала новые 512 Мбит чипы DDR SDRAM, которые будут выпускаться с применением норм 0,10 мкм техпроцесса. Возможно, логичнее бы было объявить об успешной разработке нового 0,10 техпроцесса, однако, компания решила объявить эту новость с более практичной стороны.
Новые 512 чипы DDR SDRAM, по заявлению представителей компании, совместимы со стандартами DDR 266, DDR 333, а также с DDR 400. Новый прецизионный техпроцесс реализован на трех производственных мощностях Hynix: в Ичоне, Чунгджу (Корея) и Юджине (Орегон).
В планах Hynix - начало массового производство новых 512 Мбит чипов DDR SDRAM ближе к концу года. Производство чипов DDR SDRAM емкостью 256 Мбит и 1 Гбит с нормами 0,10 мкм техпроцесса намечено на первое полугодие 2003.