Сегодняшняя Nikkei Business Daily сообщает, что Sony Shiroishi Semiconductor - одно из дочерних предприятий Sony, закончило разработку прототипа полупроводникового лазера синего/фиолетового диапазона излучения (длина волны 405 нм). Новый лазер характеризуется временем работы порядка 10 тысяч часов, выходной мощности 50 мВт при температуре 70°C, что в сумме является достаточным условием для коммерциализации устройства.
Новый полупроводниковый нитрид-галлиевый (gallium nitride) лазер выращивается на сапфировой подложке и способен генерировать луч с соотношением сторон 2.3 (меньшее соотношение показывает приближение пятна к идеальному кругу, показатель большинства конкурирующих разработок – около 3.0).
Теперь в планах Sony – выпуск проигрывателей и пишущих оптических приводов на основе нового лазера. Примерное начало производства новых лазеров - не ранее лета 2003.