Главная » Новости » 2002 » 11 » 08 8 ноября 2002

Новый полупроводниковый 405 нм лазер от Sony

Сегодняшняя Nikkei Business Daily сообщает, что Sony Shiroishi Semiconductor - одно из дочерних предприятий Sony, закончило разработку прототипа полупроводникового лазера синего/фиолетового диапазона излучения (длина волны 405 нм). Новый лазер характеризуется временем работы порядка 10 тысяч часов, выходной мощности 50 мВт при температуре 70°C, что в сумме является достаточным условием для коммерциализации устройства.

Новый полупроводниковый нитрид-галлиевый (gallium nitride) лазер выращивается на сапфировой подложке и способен генерировать луч с соотношением сторон 2.3 (меньшее соотношение показывает приближение пятна к идеальному кругу, показатель большинства конкурирующих разработок – около 3.0).

Теперь в планах Sony – выпуск проигрывателей и пишущих оптических приводов на основе нового лазера. Примерное начало производства новых лазеров - не ранее лета 2003.

Источник: Marantz

14:22 08.11.2002
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
ноябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2002

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.