Infineon и Nanya подписали соглашение по новым чипам DRAM

Infineon и Nanya сообщают о подписании окончательного соглашения по поводу стратегического сотрудничества в области стандартных чипов DRAM. В частности, в соглашении описываются условия совместной разработки 90-нм и 70-нм технологий на 300-мм пластинах.

Сообщается, что компании организуют совместное предприятие на Тайване, обрабатывающее 300-мм пластины. Запуск производства должен состояться в конце 2003 года. Обе компании вложат одинаковые средства в совместное предприятие, и соответственно, получат контроль над одинаковой долей акций.

13 ноября 2002 в 16:22

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

ноябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс