Компания Impinj сообщает о том, что ей удалось создать энергонезависимую память, которую можно производить по стандартному CMOS (КМОП) технологическому процессу. Как утверждает компания, ее память, использующая технологию манипуляции подвижными зарядами и вентилями, легко программируется, работает при достаточно низком напряжении питания и может составить конкуренцию флэш-памяти по своей себестоимости.
Impinj назвала свою память AEON, что расшифровывается как advanced eternal on-chip non-volatile или, с позволения сказать, “усовершенствованная вечная энергонезависимая память на чипе”. По словам компании, AEON можно производить по CMOS-техпроцессу с 0,35-мкм или 0,25-мкм нормами, не требуя каких-либо дополнительных масок. Напряжение питания чипа – 3,3 В, потребляемая мощность при чтении – 3 мкВт. Конечно же, память AEON, вопреки своему названию, не является вечной – 0,25-мкм и 0,35-мкм чипы способны хранить информацию в течение не более 10 лет и обеспечивают до 100000 циклов перезаписи. В настоящее время ведутся работы по квалификации 0,18-мкм и 0,13-мкм норм.
У технологии AEON, несмотря на ее преимущества (отсутствие необходимости в дополнительных масках, и, как следствие, низкая стоимость), есть и недостатки: низкая плотность записи. В настоящее время возможно производство лишь чипов емкостью 32 и 16 Кбит. Скорее всего, AEON найдет себе применение в качестве памяти для RFID-передатчиков, смарт-карт и прочих устройств, где требуется низкое энергопотребление. Кроме того, возможно, AEON будет использована в ASIC-разработках, где требуется небольшое количество энергонезависимой перезаписываемой памяти на чипе.
В заключении упомянем еще об одном свойстве технологии Impinj: self-adaptive silicon или самооадаптации в полупроводниковой среде. Это свойство позволяет логическому устройству, контролируя заряд в подвижном вентиле, изменять напряжение, требуемое для его открытия. На рисунке показано, как self-adaptive silicon используется в усилителе с автокомпенсацией.