Главная » Новости » 2003 » 01 » 20 20 января 2003

20-нм чипы в 100-нм литографии: открытие, сделанное случайно

Ученые университета штата Висконсин нашли способ создания микросхем по 20-нм нормам, используя фотомаски для 100-нм процессов. Помимо того, что их открытие продлевает жизнь современным литографическим устройствам, оно может опровергнуть закон Мура.

Технология, названная учеными bright-peak (контрастных максимумов), может применяться как в современной оптической литографии, так и в будущих устройствах, работающих в рентгеновском диапазоне. Суть ее заключается в том, что дистанция между маской и полупроводниковой подложкой изменяется и ее изменение позволяет регулировать оптическую фазу приходящего от источника света. В свою очередь, регулировкой сдвига фазы можно добиться контрастной интерференционной картины. Исследователи утверждают, что наблюдали, как с помощью фотомаски, на которую был нанесен рисунок микросхемы с 100-нм элементами, удалось создать чип, размер элементов которого не превышал 20-нм.

Любопытно, что технология контрастных максимумов была изобретена почти случайно: Университет Висконсина исследовал ограничения на области применения рентгеновской литографии для Центра Исследований Синхротронного Излучения (Synchrotron Radiation Center), когда обнаружилось, что регулируя зазор между маской и подложкой возможно изменение контрастности и масштаба картины.

Источник: Parasound

10:16 20.01.2003
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



январь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2003

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.