Ученые университета штата Висконсин нашли способ создания микросхем по 20-нм нормам, используя фотомаски для 100-нм процессов. Помимо того, что их открытие продлевает жизнь современным литографическим устройствам, оно может опровергнуть закон Мура.
Технология, названная учеными bright-peak (контрастных максимумов), может применяться как в современной оптической литографии, так и в будущих устройствах, работающих в рентгеновском диапазоне. Суть ее заключается в том, что дистанция между маской и полупроводниковой подложкой изменяется и ее изменение позволяет регулировать оптическую фазу приходящего от источника света. В свою очередь, регулировкой сдвига фазы можно добиться контрастной интерференционной картины. Исследователи утверждают, что наблюдали, как с помощью фотомаски, на которую был нанесен рисунок микросхемы с 100-нм элементами, удалось создать чип, размер элементов которого не превышал 20-нм.
Любопытно, что технология контрастных максимумов была изобретена почти случайно: Университет Висконсина исследовал ограничения на области применения рентгеновской литографии для Центра Исследований Синхротронного Излучения (Synchrotron Radiation Center), когда обнаружилось, что регулируя зазор между маской и подложкой возможно изменение контрастности и масштаба картины.