Hynix сообщила о начале отгрузки с сегодняшнего дня пробных экземпляров FeRAM (ферроэлектрической памяти) для мобильных устройств и SoC (system-on-chip).
На сегодняшний день только Toshiba и Infineon объявили о выпуске своих чипов энергонезависимой FeRAM, и вряд ли известие о том, что непотопляемая южнокорейская компания готовит массовое производство, будет для них приятным. Правда, чипы Hynix имеют существенно меньшую емкость – 4 и 8 Мбит (против 32 Мбит Toshiba и Infineon), хотя в пресс-релизе сообщается об освоении в скором будущем выпуска 64 Мбит версий.
Несмотря на последние неспокойные дни в управленческом аппарате Hynix (то вдруг все руководители разом подадут в отставку, то чуть ли не помидорами друг в друга кидаться начнут) в компании справедливо полагают, что зарождающийся рынок FeRAM сулит немалые прибыли. В ближайшие три года ожидается рост этого рынка до $10 млрд.
Пробные образцы изготовлены по 0,25-мкм нормам, напряжение питания – 3 В, время доступа к произвольному биту – 70 нс. Утверждается, что чипы Hynix способны выдержать до 100 млрд. циклов перезаписи. Компания подала около 150 заявок на получение патентов, касающихся FeRAM.