Тайваньская компания ProMOS Technologies сообщила об окончательном аннулировании лицензионного соглашения с немецким производителем Infineon Technologies, но сохранила за собой право использовать технологию, полученную от своего бывшего партнера.
По словам представителя ProMOS, Infineon отказалась от резервирования мощностей тайваньской компании, и в конце 2002 года отказалась от акций ProMOS, но не разорвала соглашение о передаче технологий. Несмотря на перипетии с выводом и последующим восстановлением в совете директоров тайваньской компании представителей немецкой стороны, а также судебные разбирательства, ProMOS все еще готова к ведению переговоров. Хотя сроки проведения двусторонних переговоров в будущем не определялись, руководство тайваньского производителя памяти готово встретиться с руководством немецкой компании в конце марта.
Более того, ProMOS все еще готова предоставить часть мощностей Infineon, согласна вести переговоры о продаже немецкой стороне части своих акций и о передаче технологий. Даже после разрушения партнерских отношений.
Что касается вопросов сотрудничества ProMOS с Elpida Memory, то отмечается, что руководители компаний "проводят частые встречи, но окончательного решения пока не принято".
Кстати, о партнерстве. Представители Nanya Technology сообщили, что партнерство с Infineon Technologies заставит компанию увеличить расходы на R&D, в виду жесткой конкуренции на рынке DRAM.
Большинство производителей памяти вынуждено ежегодно инвестировать в исследования около $300 млн., что могут позволить себе только компании с ежегодным доходом от $2,5млрд. до $3 млрд. Соответственно, присутствуя на рынке "независимо", Nanya не могла позволить себе таких расходов. Теперь такие суммы могут стать реальностью (годовой доход Nanya в 2002 году составил около $850 млн.). Совместная рыночная доля Nanya и Infineon составит около 20%.
По мнению руководителей Nanya, консолидация производителей DRAM будет продолжаться, и к 2007 году на рынке останутся только 4-5 игроков. В настоящее время рыночные доли производителей DRAM выглядят примерно так:
