Samsung сообщила о том, что запустила массовое производство 1 Гб модулей DIMM памяти DDR-II, построенных на 512-Мбит чипах.
Напряжение питания модулей Samsung составляет 1,8 В, пропускная способность – 533 Мбит/с и 667 Мбит/с в модулях, предназначенных специально для сетевого оборудования.
Поставки пробных экземпляров 512 Мбит чипов DDR-II, как утверждается, начались в прошлом мае.