Главная » Новости » 2003 » 04 » 03 3 апреля 2003

AMD разработала новый FD-SOI-транзистор

Исследователи из AMD сообщают, что им удалось создать транзистор по технологии FD-SOI (fully depleted silicon-on-insulator, полностью вырожденного кремния на диэлектрической подложке), который, как утверждается, работает примерно на 30% быстрее, чем предыдущий PMOS-транзистор. О своем достижении компания расскажет на симпозиуме VLSI Technology Symposium, который пройдет с 10 по 12 июня в японском городе Киото.

AMD пока не предоставила данных о том, на какой частоте работает транзистор, ограничившись сообщением о геометрических параметрах: 25-нм затвор на слое кремния толщиной 7 нм и 10 нм.

Последний результат был получен при продолжении серии работ, посвященных исследованию свойств деформированного металлическими затворами полупроводника, которые, как утверждается, могут работать на 20-25% быстрее обычных.

Источник: Parasound

  • Теги:
18:03 03.04.2003
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2003

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.