Компания Samsung Electronics Co., Ltd. сообщила о выпуске 1 Гб DDR266/DDR333 SO-DIMM, оптимизированных под ноутбуки с Intel Centrino. Модули выполнены на шестнадцати 512 Мбит чипах DDR, которые расположены в два ряда.
Чипы выполнены по нормам 0,1-мкм техпроцесса, выполнены в корпусах TSOP (0,28 гр, площадь - 134 мм 2; модули - 200-контактные, размером 67,6 х 31,75 х 3,80 мм.