Японские компанииRenesas Technology и Matsushita Electric Industrial Co. сообщили о совместной разработке 32 Кб on-chip (интегрируемой) SRAM, произведенной по нормам 90-нм техпроцесса для микроконтроллеров и систем-на чипе. Прототип чипа имеет напряжение питания 1,2 В, его ток утечки в режиме ожидания составляет 1,2 мкА.
Ячейка памяти в новой разработке имеет размер 1,25 микрон², что, по заявлению производителей, на 40% меньше размера ячейки чипов on-die SRAM, выполненных по нормам 0,13-мкм техпроцесса.