Rambus Inc., Toshiba и Elpida анонсировали сегодня XDR DRAM, использующую интерфейс Rambus XDR, ранее известный как Yellowstone. По словам инженеров компаний, 3,2 ГГц XDR DRAM предлагает пропускную способность, в 8 раз выше, чем у известных сегодня типов памяти. Линейка XDR DRAM предназначена для использования в графических станциях, серверах, мобильных системах, коммуникационном оборудовании.
Первоначально будет предлагаться 3,2 ГГц версия памяти, в дальнейших планах разработчиков — выпуск 6,4 ГГц версии и выше, что позволит довести пропускную способность подсистемы памяти до 100 Гб/с. Чипы XDR DRAM будут выпущены в нескольких вариантах, отличающихся плотностью (от 256 Мбит до 8 Гбит), скоростью работы.
Toshiba и Elpida, как ожидается, начнут поставки образцов XDR DRAM в 2004 году, начало массового производства запланировано на 2005 год.
Вот как выглядит архитектура 512 Мбит чипов XDR DRAM:
