Chartered, IBM и Infineon сообщают о заключении соглашения о совместной разработке технологий производства полупроводниковых интегральных микросхем по 65-нм нормам.
По соглашению, компании объединят свои усилия: Infineon по разработке низковольтных полупроводниковых модулей, IBM по производственным процессам и Chartered по созданию универсальной платформы, масштабируемой от 90 нм до 65 нм и, в перспективе, к 45 нм. Финансовые детали соглашения не приводятся.
Основным центром разработки станет недавно открытая в штате Нью-Йорк лаборатория IBM. Всего в работах будет занято около 200 инженеров – представителей всех трех компаний. Компании планируют разработать технологические процессы для 65-нм норм и выработать рекомендации для миграции к 45 нм. Каждая из принимающих участие в разработке компаний получит возможность внедрения техпроцессов на своих производственных мощностях.