Главная » Новости » 2003 » 09 » 02 2 сентября 2003

PZTN: новый материал от Seiko Epson для производства FeRAM

Компания Seiko Epson объявила о разработке нового ферроэлектрического материала для производства так называемой ферроэлектрической памяти (ferroelectric random-access memory, или FeRAM). Новый материал, получивший сокращенное название PZTN, получен специалистами Epson путем замещения некоторых атомов титана ниобием в структуре уже известного сегнетокерамического материала для выпуска FeRAM — PZT (Perovskite lead zirconate titanate). Особенность технологии, разработанной в Seiko Epson заключается в возможности увеличения присутствия атомов ниобия примерно в 20 – 30 раз по сравнению с прежними разработками.

О перспективах внедрения FeRAM мы писали в наших новостях уже неоднократно. Достаточно вспомнить, что FeRAM со временем заменит NOR-флэш и статическую (SRAM) память в сотовых телефонах и прочих мобильных устройствах, что стоимость производства FeRAM составляет лишь одну восьмую от себестоимости производства современных CMOS чипов, и то, что скорость выборки данных из FeRAM примерно в 200 выше, а энергопотребление FeRAM на основе PZTN, согласно сообщениям специалистов из Epson, примерно на 90% меньше, чем у современного флэша.

Сейчас в Seiko Epson заняты техническими испытаниями свойств нового материала, о сроках коммерческого внедрения технологии данных пока нет.

Источник: BBK

10:44 02.09.2003
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
2003

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.