Chartered Semiconductor Manufacturing и MoSys сообщили о планах выпуска 1T-SRAM-R по нормам 90-нм техпроцесса NanoAccess. В рамках расширения партнерских отношений MoSys присоединилась к альянсу Chartered, NanoAccess Alliance (члены — ARM; Artisan Components, Inc.; Cadence Design Systems, Inc.; ChipIdea Microlectronics; IBM; Mentor Graphics Corporation; MoSys, Inc.; QualCore Logic; Synopsys, Inc.; Virage Logic Corporation.) и планирует представить первые образцы чипов 1T-SRAM-R, выполненных по новой технологии, в октябре текущего года. Начало массового выпуска чипов запланировано на первый квартал 2004 года.
Напомним, что от обычной SRAM память 1T-SRAM-R отличается более высокой плотностью, низким энергопотреблением. Вместо 6-транзисторной ячейки в этой памяти MoSys ячейка имеет только один транзистор и один конденсатор, что позволяет снизить производственные затраты чипов. Предназначена такая память для использования в системах-на чипе (SoC).