Главная » Новости » 2003 » 09 » 18 18 сентября 2003

MoSys портирует 1T-SRAM на 90-нм технологии Chartered

Chartered Semiconductor Manufacturing и MoSys сообщили о планах выпуска 1T-SRAM-R по нормам 90-нм техпроцесса NanoAccess. В рамках расширения партнерских отношений MoSys присоединилась к альянсу Chartered, NanoAccess Alliance (члены — ARM; Artisan Components, Inc.; Cadence Design Systems, Inc.; ChipIdea Microlectronics; IBM; Mentor Graphics Corporation; MoSys, Inc.; QualCore Logic; Synopsys, Inc.; Virage Logic Corporation.) и планирует представить первые образцы чипов 1T-SRAM-R, выполненных по новой технологии, в октябре текущего года. Начало массового выпуска чипов запланировано на первый квартал 2004 года.

Напомним, что от обычной SRAM память 1T-SRAM-R отличается более высокой плотностью, низким энергопотреблением. Вместо 6-транзисторной ячейки в этой памяти MoSys ячейка имеет только один транзистор и один конденсатор, что позволяет снизить производственные затраты чипов. Предназначена такая память для использования в системах-на чипе (SoC).

18:05 18.09.2003
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
2003

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.