Подтверждая предварительные сведения, ведущий японский производитель памяти типа DRAM объявил о завершении разработки чипов памяти DDR3 SDRAM плотностью 4 Гбит. На данный момент это значение является максимальным для продуктов указанной категории.
Память, разработанная специалистами Elpida Memory, рассчитана на выпуск по 40-нанометровой технологии. Один новый чип потребляет примерно на 30% меньше энергии, чем два 40-нанометровых чипа DDR3 плотностью 2 Гбит. Это выливается в существенное снижение энергопотребления компьютеров. Еще одним резервом снижения потребляемой мощности является возможность работы при напряжении питания 1,35 В (стандартным для памяти типа DDR3 является напряжение 1,5 В).
Производитель рассчитывает на использование чипов плотностью 4 Гбит в буферизованных модулях памяти DIMM объемом 32 ГБ (при этом 72 чипа будут упакованы по два в 36 корпусов типа DDP — Double Density Package) и модулях типа LR DIMM (Load Reduced DIMM) для серверов; небуферизованных модулях ECC DIMM объемом 8 ГБ для рабочих станций; модулях типа SO-DIMM объемом 8 ГБ для ноутбуков, игровых консолей и бытовой электроники.
Ознакомительные образцы новых продуктов начнут поступать заказчикам в текущем квартале, а массовый выпуск компания планирует начать в третьем квартале.
Источник: Elpida