Компания Samsung Electronics преодолела очередной технологический рубеж в производстве флэш-памяти типа MLC NAND. Спустя год после начала выпуска продукции по нормам 30-нм технологии, компания объявила о завершении разработки чипов плотностью 32 Гбит по нормам «20-нанометрового класса».
На базе таких носителей будут создаваться карты памяти формата SD объёмом 8 ГБ и выше, соответствующие десятому скоростному классу. Скорость чтения с таких карт составит порядка 20 МБ/с, а скорость записи — не менее 10 МБ/с. Область применения также охватывает карты памяти для встраиваемых приложений.
По словам производителя, новые карты памяти будут на 30% быстрее своих собратьев на основе 30-нм чипов. Прирост производительности по сравнению с 30-нанометровой памятью MLC NAND достигает 50%. Компания утверждает, что по надёжности новые продукты будут сравнимы с 30-нанометровыми аналогами.
Массовое производство карт памяти формата SD по нормам 20-нанометрового класса намечено на вторую половину текущего года. Накопители будут доступны в версиях объёмом от 4 до 64 ГБ.
Источник: Samsung Electronics