Компания Numonyx BV, занятая разработками в области энергонезависимой памяти, рассчитывает в первом квартале будущего года начать поставки микросхем памяти типа PCRAM плотностью 1 Гбит. Позже в 2010 году должен начаться серийный выпуск указанных изделий. Аббревиатура PCRAM обозначает память с произвольным доступом, в которой используется эффект изменения фазового состояния (phase-change random access memory).
К достоинствам памяти типа PCRAM относится огромное количество циклов перезаписи, способность хранить информацию без подачи питания и высокое быстродействие. Памяти, для изготовления которой используется 45-нанометровый техпроцесс, посвящен доклад специалистов Numonyx BV на мероприятии International Electron Devices Meeting.
В 2008 году Numonyx удалось первой среди производителей начать выпуск 90-нанометровах образцов PCRAM плотностью 128 Мбит. В сентябре 2009 года Samsung Electronics вырвалась вперед, объявив о начале выпуска 60-нанометровых чипов PCRAM (PRAM) плотностью 512 Мбит. Выпуск микросхем плотностью 1 Гбит позволит Numonyx перехватить лидерство в области производства PCRAM у компании Samsung.
Пока память PCRAM уступает флэш-памяти типа NAND по плотности. Недавно компания Samsung сообщила о начале выпуска по нормам 30 нм трехбитной флэш-памяти типа MLC NAND плотностью 32 Гбит. Вместе с тем, целью развития PCRAM не является прямая конкуренция с NAND. Новая память привлекает универсальностью — она может играть роль оперативной памяти с произвольным доступом и постоянной энергонезависимой памяти одновременно. В этом смысле, она скорее конкурирует с памятью DRAM и флэш-памятью типа NOR.