Очередной шаг, подтверждающий серьезность претензий на лидерство в технологической области, сделал альянс, объединяющий компании IBM, Chartered Semiconductor Manufacturing, GLOBALFOUNDRIES, Infineon Technologies, Samsung Electronics и STMicroelectronics. Члены альянса сообщили о совместной разработке массового CMOS-техпроцесса, оптимизированного по критерию энергопотребления, с использованием изоляторов с высокой диэлектрической постоянной и металлических затворов (high-k metal gate, HKMG) и соблюдением норм 28 нм.
Новая технологическая платформа ориентирована на широкий круг приложений, чувствительных к энергопотреблению, включая мобильную и бытовую электронику, в частности, устройства категории MID (мобильные устройства с Интернет-подключением). Хорошие показатели токов утечки, свойственные HKMG, позволят увеличить время автономной работы нового поколения этих устройств.
Анонсированная разработка базируется на успехе, достигнутом при совместном создании аналогичного техпроцесса, рассчитанного на нормы 32 нм.
Ознакомительные материалы по 28-нанометровой технологии стали доступны первым заказчикам в декабре прошлого года, а в доступ к ним был открыт для остальных участников рынка. Начало производства ожидается во второй половине будущего года.
Предварительные оценки показывают, что 28-нанометровая технологическая платформа может обеспечить увеличение производительности микросхем на 40%, снизить их энергопотребление более чем на 20% при уменьшении площади кристалла вдвое по сравнению с продукцией, изготавливаемой по нормам 45 нм.
Источник: IBM