Компания IBM и ее партнеры по разработке — AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba и College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE) — объявили о создании первой в мире работоспособной ячейки статический памяти с произвольным доступом (SRAM), выполненной по нормам 22 нм.
Память была изготовлена на опытном производстве IBM, работающем с 300-мм пластинами.
Изготовление памяти типа SRAM является шагом, предшествующим созданию более сложных приборов, таких, как микропроцессоры. 22-нм ячейка SRAM построена по стандартной схеме с шестью транзисторами. Площадь ячейки — 0,1 кв.мкм. Размер ячейки SRAM служит ключевой меркой в полупроводниковой отрасли, так что IBM и ее партнеры подтвердили свое лидирующее положение в освоении новых технологий.
Напомним, в передовом серийном производстве сейчас применяются нормы 45 нм. Следующим шагом должно стать освоение норм 32 нм. Другими словами, IBM на два поколения опережает современное серийное производство.
Источник: IBM