Корпорация Ramtron, специализирующаяся на энергонезависимой сегнетоэлектрической памяти с произвольным доступом (F-RAM), представила первую в отрасли память F-RAM плотностью 2 Мбит с последовательным интерфейсом.
Микросхема, получившая обозначение FM25H20, представляет собой энергонезависимую память с малым энергопотреблением, оснащенную быстродействующим последовательным интерфейсом (SPI). Она рассчитана на напряжение питания 2,7-3,6 В. К особенностям новинки относится практически неограниченное количество циклов перезаписи и миниатюрные размеры. Микросхемы FM25H20 изготавливаются по 130-нм техпроцессу CMOS и упаковываются в 8-контактные корпуса типа TDFN размерами 5 x 6 мм.
Память F-RAM превосходит флэш-память по скорости записи и надежности. По мнению производителя, FM25H20 является идеальной заменой для флэш-памяти с последовательным интерфейсом в тех случаях, когда требования к энергопотреблению и размерам особенно высоки. В качестве примеров применения названы портативные медицинские устройства, датчики, печатающие устройства.
Микросхема FM25H20 имеет логическую организацию 256K x 8 и работает на частоте до 40 МГц. В режиме чтения и записи они потребляет ток 10 мА, в режиме ожидания — 25 мкА, в режиме энергосбережения (сна) — 3 мкА.
Источник: Ramtron