О выпуске модулей памяти DDR3 объемом 4 ГБ объявила компания Micron Technology. В этих изделиях используются компоненты памяти плотностью 2 Гбит, что позволило достичь рекордного для отрасли показателя объема среди модулей DDR3 для мобильных компьютеров. Модули большого объема начинают пользоваться спросом по мере распространения новых версий операционной системы Windows и прикладных программ, требовательных к объему оперативной памяти.
Помимо этого, компания объявила о том, что модули памяти DDR3 объемом 512 МБ, 1 и 2 ГБ, предназначенные для ноутбуков, прошли проверку на совместимость с мобильной платформой Intel Centrino 2, подготавливаемой к выпуску в скором будущем. Модули DDR3 объемом 4 ГБ, предназначенные для ноутбуков, проходят процесс проверки в настоящее время.
Модули Micron DDR3 поддерживают скорости передачи до 1333 Мбит/с, позволяя повысить производительность системы. Они рассчитаны на напряжение питания 1,5 В, а не 1,8 В, как модули DDR2, что обеспечивает снижение энергопотребления на величину до 30%.
Компания уже приступила к серийному выпуску модулей объемом 512 МБ, 1 и 2 ГБ. Начало серийного производства 4-ГБ модулей DDR3 намечено на текущий квартал.
Напомним, впервые о создании модулей объемом 4 ГБ и необходимых для их производства компонентов памяти компания сообщила осенью прошлого года.
Источник: Micron Technology