Специалистам Intel и STMicroelectronics удалось достичь важной вехи в создании памяти нового типа, построенной на изменении фазового состояния вещества (Phase Change Memory, PCM). Компании объявили о начале поставок прототипов новой памяти. Прототипы представляют собой кремниевые чипы, предназначенные для ознакомления с новой технологией потенциальных потребителей.
Прибор памяти, получивший кодовое название Alverstone, как утверждается, имеет очень высокую скорость чтения и записи, потребляет меньше энергии, чем обычная флэш-память, и обеспечивает возможность манипуляции на уровне отдельных битов. Память типа PCM давно является предметом обсуждения, а ее создание — точкой приложения усилий исследователей. Выход Alverstone стал первым шагом на этапе коммерциализации разработки. О том, как создавалась новая память, Intel и STMicroelectronics рассказали на конференции International Solid States Circuits Conference (ISSCC).
Примечательно, что память имеет ячейки типа MLC (multi-level cell). Переход от одноуровневых ячеек (SLC) к многоуровневым позволяет повысить плотность хранения и снизить удельную стоимость памяти.
Совместная программа Intel и STMicroelectronics, направленная на создание PCM, была начата в 2003 году. За это время участники проекта успели продемонстрировать массивы ячеек плотностью 8 Мбит, произведенные по нормам 180 нм (2004 год) и 128-Мбит чип Alverstone, выполненный по нормам 90-нм. Предполагается, что поставками Alverstone и последующих продуктов будет заниматься компания Numonyx, основанная STMicroelectronics, Intel и Francisco Partners в мае прошлого года.
Источник: Intel