По имеющимся данным, компания Elpida Memory планирует уменьшить площадь, занимаемую ячейкой памяти до значения 4F2 (где F – ширина линии) при переходе к 40-нм поколению DRAM, который запланирован компанией в массовом производстве примерно на 2011 год.
Эту информацию обнародовал Такао Адачи (Takao Adachi), директор и главный инженер отдела технологии и разработки Elpida Memory, на конференции ISTF 2007 (Industry Strategy and Technology Forum), имевшей место на прошлой неделе.
Компания рассчитывает создать ячейку 4F2, что пока удалось только для флэш-памяти типа NAND, за счет использования объемного транзистора и других приемов.
Сейчас, Elpida серийно выпускает 70-нм продукцию. Уменьшение размера ячейки памяти DRAM с сегодняшних 8F2 до 6F2 планируется осуществить при переходе к 65-нм поколению. Прототипы 65-нм чипов уже готовы, серийное производство по нормам 65 нм должно начаться в текущем финансовом году.
Уменьшение размеров ячейки до 4F2 намечено при переходе к 40-нм поколению, третьему по счету за 65-нм поколением. Сначала компания планирует освоить нормы 50 и 45 нм.
Источник: TechOn!