В условиях, когда некоторые производители уже серийно выпускают магниторезистивную память с произвольным доступом (Magnetic Random Access Memory, MRAM) плотностью 4 Мбит, компании IBM и TDK решили совместно взяться за развитие этой технологии. Цель совместного проекта – создание MRAM высокой плотности. Партнеры уверены, что, задействовав эффект «переноса спина», они смогут создать более компактные ячейки памяти, чем это удавалось до сих пор.
Фундаментом успеха должен стать богатый опыт участников проекта в соответствующих областях. Как утверждается, интегральные схемы, которые будут созданы в результате совместной работы, можно будет использовать, как самостоятельные приборы памяти и как встраиваемую память.
Напомним, IBM – один из активных участников разработки MRAM и пионер фундаментальных исследований в области магнитных туннельных переходов (MTJ), связанных с изучением упомянутого эффекта, который используется в памяти MRAM. В свою очередь, TDK имеет богатый практический опыт в применении технологии MTJ в записывающих головках накопителей на жестких магнитных дисках. Обе компании обладают большим количеством наработок и патентов в области технологий и материалов для магнитной записи.
Работы в рамках проекта планируется вести в трех исследовательских центрах, принадлежащих IBM и одном - TDK.
Магниторезистивная память привлекает внимание ученых по всему миру – весной этого появилось сообщение о том, что ученые из института физики китайской академии наук создали новую память MRAM, используя свой, оригинальный подход.
Источник: IBM