Компания Micron Technology официальным пресс-релизом сообщила, что произведенные ею компоненты памяти DDR3 плотностью 1 Гбит успешно прошли тестирование на возможность совместного использования с настольными платформами Intel.
Новая память нацелена на широкий круг приложений – от требовательных к ресурсам игр до научных суперкомпьютерных вычислений. По утверждению Micron, упомянутые чипы DDR3 плотностью 1 Гбит представляют собой наиболее экономичное в расчете на один бит памяти решение, выпускаемое по 78-нм техпроцессу Micron 6F2. Интересно, что большей плотности, эти компоненты имеют меньший размер кристалла по сравнению с DDR2-продуктами плотностью 512 Мбит. Кроме того, они характеризуются невысокой потребляемой мощностью и подходят для модулей, рассчитанных на компоненты плотностью 512 Мб и 1 Гб.
Изделия характеризует поддержка скоростей передачи 800 миллионов операций обмена в секунду (megatransfers per second, MT/s) и 1066 MT/s при тактовых частотах 400 и 533 МГц, соответственно, что вдвое превышает скорости DDR2. Напряжение питания DDR3 уменьшено по сравнению с DDR2 – с 1,8 В до 1,5 В, за счет чего энергопотребление модулей может быть снижено на величину до 30%. Кстати, подробно ознакомиться с особенностями нового поколения оперативной памяти с произвольным доступом можно в нашем специальном материале.
Ознакомительные образцы чипов DDR3 плотностью 1 Гбит производства Micron уже доступны. Серийный выпуск должен начаться в начале будущего года. Тогда же компания рассчитывает показать первые приборы DDR3 плотностью 2 Гбит.
Источник: Micron Technology