Компания Samsung Electronics показала публике очередной чип типа fusion (что можно перевести, как «слияние, объединение»), который впервые позволяет разработчикам потребительской электроники использовать оба типа флэш-памяти типа NAND – одноуровневые ячейки (SLC) и многоуровневые (MLC) – в одном приборе.
Flex-OneNAND содержит один кристалл и встроенное ПО, которое обеспечивает функциональность SLC, MLC или комбинацию того и другого сразу. Таким образом, обеспечивается большая степень гибкости в использовании памяти за счет возможности простой модификации продукта даже после завершения проектирования.
Более высокие показатели скорости чтения и записи, свойственные SLC NAND, делают память этого типа более пригодной для выполнения кода, обычно связанного с начальной загрузкой устройства и приемом данных. В то же время, более высокая экономическая эффективность памяти типа MLC NAND делает ее привлекательной для использования в качестве хранилища большого объема. Память Samsung Flex-OneNAND не только дает конструкторам гибкость в вопросах модификации подсистемы памяти на поздних этапах разработки, но и уменьшает площадь, занимаемую памятью на печатной плате.
Новинка ощутимо опережает обычную память MLC NAND по быстродействию. Так, типичные скорости чтения и записи MLC NAND равны 17 и 4,5 Мб/с, а у Flex-OneNAND, в зависимости от типа раздела они составляют 67 и 5 Мб/с (MLC), 87 и 15 Мб/с (SLC).
Samsung планирует начать серийный выпуск Flex-OneNAND плотностью 4 Гб в следующем месяце.
Источник: Samsung