Корпорация Nikon в ходе выставки Semicon Japan сообщила о возможности создания на поверхности полупроводниковых подложек рисунков размером 39 нм, используя иммерсионную литографическую систему с 193-нм источником света (ArF-лазер), NSR-S610C. Компания позиционирует литографический инструмент для 45-нм производства и создания пробных образцов интегральных схем по 32-нм нормам.
Напомним, что Nikon и ASML в области развития иммерсионных технологий идут «ноздря в ноздрю» - свой первый иммерсионный сканер для 45-нм производства (Twinscan XT:1900i) голландская компания представила в июле, как и Nikon.
В S610C, как и в Twinscan XT:1900i, используется катадиоптрическая оптическая система, а размер пятна излучения в 39-нм удается получить с использованием поляризатора Nikon Polano. При этом возможен вариант применения фоторезиста с растворимым в проявителе верхним слоем – тогда глубина фокусировки составляет 900 нм, либо без такового – в последнем случае глубина фокусировки составляет 800 нм.
Nikon намеревается захватить не менее половины рынка 193-нм иммерсионных литографических инструментов к 2008 году. Очевидно, что демонстрации расширенных возможностей уже поставляемого клиентам оборудования также служит цели создать благоприятную почву для продления жизненного цикла иммерсионной литографии на 32-нм нормы, вопрос о технологической базе которых, как известно, до сих пор открыт.