Мы неоднократно касались в наших новостях темы трехмерных, или неплоских, дизайнов полупроводниковых устройств (например, FinFET), которые, согласно теоретическим предсказаниям, должны будут способствовать улучшению быстродействия и энергопотребления микросхем. Однако, первые практические исследования, проведенные в уходящем году, указывают на то, что такие нововведения могут быть нецелесообразны по экономическим и техническим соображениям – вместо создания микросхем из большого числа неплоских фрагментов, их можно делать «склеиванием» плоских чипов.
Начнем с не самых приятных известий. В мае норвежская исследовательская компания Opticom сообщила о том, что, скорее всего, будет вынуждена прервать совместную работу с Intel над многослойной пластиковой памятью. Как следует из промежуточных данных шведского подразделения Opticom, компании Thin Film Electronics, технические вопросы, касающиеся возможности производства пластиковой памяти, так и не были решены, вследствие чего Opticom будет вынуждена прекратить сотрудничество с Intel.
Тем временем Matrix Semiconductor рапортовала об успешном воплощении 512-Мбит программируемого ПЗУ в восьмислойной микросхеме, выпускаемой с ноября этого года по 0,15 мкм.
Однако, наиболее интересных результатов достигла Tezzaron Semiconductor, «склеившая» чип микроконтроллера (по технологии FaStack) с оперативной памятью SRAM. К концу этого года Tezzaron сообщила о разработке шести прототипов, позволяющих, по ее словам, добиться снижения энергопотребления на 90% (из-за уменьшения длины внутренних соединений) по сравнению с аналогичными двумерными чипами.
Технология Tezzaron интересна еще и потому, что, в отличие от Samsung, также «склеивающей» свою флэш-память в MCP-микросхемы (MCP – Multi-Chip Package), ее подход позволяет соединять в одной микросхеме чипы, выполненные по разным технологическим процессам и даже из разных материалов. А это может оказаться очень кстати для производителей модулей беспроводной связи, ищущих пути упрощения производства.