Cоответствие внешних частот, временных задержек и времени доступа для различных типов памяти

Нижеследующие таблицы содержат значения требуемого времени доступа к RAM для различных внешних частот и временных задержек (wait state), а также фактические документированые характеристики чипов памяти. Приведены теоретические измышления, на практике все может отличаться как в лучшую, так и в худшую сторону. Тем не менее знание этих сведений может быть полезно при покупке памяти и настройке BIOS.

Красным обозначены значения временных параметров, требующих более быстрой памяти.
Красные числа в колонке спецификаций указывают на параметры, значение которых превышены.

Рассмотрение таблиц показывает преимущества 7-1-1-1 SDRAM. A "-10" (100 MHz) SDRAM работает чуть быстрее, чем "-60" асинхронная память.

Заметьте, что у SDRAM "-10" существует эквивалент. У SDRAM tRAC 58ns при CL3-100MHz, а 54ns при CL2-66MHz на 4ns быстрее. У SDRAM tAA при CL3-100MHz на 4ns медленней, чем CL2-66MHz!

SDRAM "-10" работающая с CL3 (7-1-1-1) может не работать при CL2 (5-1-1-1)!

Системные циклы задержки

Та жа информация, что и выше, но представлена в другой форме. По этой таблице можно определить, какие установки циклов ожидания необходимы для конкретной памяти.

X-Y-Y-Y = Циклы нормальных временных задержек.

X-Y-Y-Y = Минимальные задержки.

X-Y-Y-Y = Неправильные, но возможно рабочие задержки. Работа памяти в этих режимах не гарантируется.

* — Использование этих временных задержек возможно при грамотном дизайне модуля памяти.

При составлении этой таблицы мы руководствовались следующими принципами:

• Первое число должно обеспечивать задержку больше чем tRAC, плюс один цикл на установку адреса.
• Установка последующих адресов производится во время ожидания tRAC. (То есть установка второго адреса проходит незаметно и не требует дополнительных задержек)
• Тайминги, соответствующие остальным числам не могут превышать tPC.