| Пример карты программирования SPD для DRDRAM DIMM |
| Байт |
Назначение |
Опция |
Entry |
HEX |
| 0 |
Номер текущей версии SPD |
N/A |
2 |
02 |
| 1 |
Общее количество байт информации в микросхеме SPD |
N/A |
256 |
08 |
| 2 |
Тип используемых микросхем памяти |
N/A |
DRDRAM |
01 |
| 3 |
Тип используемого модуля памяти |
N/A |
RIMM |
01 |
| 4 |
Количество адресных бит стоки и столбца каждой микросхемы |
N/A |
9, 6 |
96 |
| 5 |
Количество адресных бит на банк и тип используемых банков |
N/A |
16d, 4bit |
84 |
| 6 |
Количество одновременно регенерируемых банков микросхемы |
N/A |
4 |
04 |
| 7 |
Длительность периода регенерации микросхем памяти в ms |
N/A |
32 |
20 |
| 8 |
Используемая версия протокола RDRAM |
N/A |
2 |
02 |
| 9 |
Поле конфигурации использования устройств смешанного типа |
-LP
no -LP |
1 tSCK |
03
01 |
| 10 |
Минимальный интервал "Precharge-to-RAS" |
-40-800
-45-800
-50-800
-45-600
-53-600 |
8cycles
8cycles
10cycles
6cycles
8cycles |
08
08
0A
06
06 |
| 11 |
Минимальный интервал "RAS-to-Precharge" |
-40-800
-45-800
-50-800
-45-600
-53-600 |
20cycles
20cycles
24cycles
16cycles
20cycles |
14
14
18
10
14 |
| 12 |
Минимальный интервал "Activate-to-CAS" |
-40-800
-45-800
-50-800
-45-600
-53-600 |
8cycles
10cycles
12cycles
6cycles
6cycles |
08
0A
0C
06
06 |
| 13 |
Минимальный интервал "RAS-to-RAS" |
-40-800
-45-800
-50-800
-45-600
-53-600 |
8cycles
8cycles
8cycles
8cycles
8cycles |
08
08
08
08
08 |
| 14 |
Минимальный интервал "Precharge-to-Precharge" |
-40-800
-45-800
-50-800
-45-600
-53-600 |
8cycles
8cycles
8cycles
8cycles
8cycles |
08
08
08
08
08 |
| 15 |
Минимальная длительность tCYCLE для диапазона А |
-40-800
-45-800
-50-800
-45-600
-53-600 |
2.43ns
2.43ns
2.43ns
3.33ns
3.33ns |
13
13
13
1A
1A |
| 16 |
Максимальная длительность tCYCLE для диапазона А |
-40-800
-45-800
-50-800
-45-600
-53-600 |
3.45ns
3.45ns
3.45ns
3.71ns
3.71ns |
1B
1B
1B
1E
1E |
| 17 |
Диапазон значений tCDLY для диапазона А |
-40-800
-45-800
-50-800
-45-600
-53-600 |
5-9
5-9
5-9
4-8
4-8 |
59
59
59
48
48 |
| 18 |
Диапазон значений tCLS и tCAS для диапазона А |
-40-800
-45-800
-50-800
-45-600
-53-600 |
tCLS=2
tCAS=2 |
AA
AA
AA
AA
AA |
| 19 |
Минимальная длительность tCYCLE для диапазона B |
N/A |
0 |
00 |
| 20 |
Максимальная длительность tCYCLE для диапазона B |
N/A |
0 |
00 |
| 21 |
Диапазон значений tCDLY для диапазона B |
N/A |
0 |
00 |
| 22 |
Диапазон значений tCLS и tCAS для диапазона B |
N/A |
0 |
00 |
| 23 |
Минимальная длительность tCYCLE для диапазона C |
N/A |
0 |
00 |
| 24 |
Максимальная длительность tCYCLE для диапазона C |
N/A |
0 |
00 |
| 25 |
Диапазон значений tCDLY для диапазона C |
N/A |
0 |
00 |
| 26 |
Диапазон значений tCLS и tCAS для диапазона C |
N/A |
0 |
00 |
| 27 |
Минимальная длительность tCYCLE для диапазона D |
N/A |
0 |
00 |
| 28 |
Максимальная длительность tCYCLE для диапазона D |
N/A |
0 |
00 |
| 29 |
Диапазон значений tCDLY для диапазона D |
N/A |
0 |
00 |
| 30 |
Диапазон значений tCLS и tCAS для диапазона D |
N/A |
0 |
00 |
| 31 |
Максимальное время выхода из деактивации (PDN) в фазе А |
N/A |
4µs |
04 |
| 32 |
Максимальное время выхода из деактивации (PDN) в фазе B |
N/A |
9000cycles |
8D |
| 33 |
Максимальное время выхода из "дремоты" (NAP) в фазе А |
N/A |
50ns |
32 |
| 34 |
Максимальное время выхода из "дремоты" (NAP) в фазе B |
N/A |
40ns |
28 |
| 35 |
Максимальная и минимальная частоты функционирования микросхем (400MHz = 190h, 300MHz = 12Ch, 266MHz=10Ah) |
-800
-600 |
1, 1
1, 1 |
11
11 |
| 36 |
Максимальная частота функционирования микросхем памяти |
-800
-600 |
2C
0A |
2C
0A |
| 37 |
Минимальная частота функционирования микросхем памяти |
-800
-600 |
90
2C |
90
2C |
| 38 |
Зарезервировано по возможности ODF (OverDrive Factor) |
N/A |
N/A |
00 |
| 39 |
Максимальный интервал между операциями калибровки |
N/A |
100ms |
64 |
| 40 |
Максимальный интервал между калибровкой температуры |
N/A |
100ms |
64 |
| 41 |
Минимальный интервал динамики формирования команды проведения температурной калибровки |
N/A |
150tCYCLE |
96 |
| 42 |
Максимальный интервал "RAS-to-Precharge" |
N/A |
64µs |
40 |
| 43 |
Максимальное время пребывания микросхемы в режиме NAP |
N/A |
10µs |
0A |
| 44 |
Описание тамингов ACTREFPT и PCHREFPT |
N/A |
6, 6 tCYCLE |
66 |
| 45 |
Описание тамингов CPCHREFPT_DC и RDREFPT_DC |
N/A |
5, 5 tCYCLE |
55 |
| 46 |
Описание тамингов RETREFPT_DC и WRREFPT_DC |
N/A |
5, 13 tCYCLE |
5D |
| 47-49 |
Зарезервировано |
N/A |
|
00 |
| 50 |
Частота подачи строба доступа к строке (400MHz = 190h, 300MHz = 12Ch, 266MHz=10Ah), начало |
-800
-600 |
01
01 |
01
01 |
| 51 |
Частота подачи строба доступа к строке, продолжение |
-800
-600 |
90
2C |
90
2C |
| 52 |
Максимальная мощность на fMAX, fMIN и максимальное значение температуры микросхем, установленных на модуле памяти |
-800
-600 |
0, 0, 100-64
0, 0, 100-64 |
24
24 |
| 53 |
Наличие на модуле радиатора, температурного сенсора и температура на нем, когда Tj максимально |
-800
-600 |
1, 100-64
1, 100-64 |
A4
A4 |
| 54 |
Потребляемый ток в состоянии STBY на максимальной частоте (fIMAX) |
-800
-600 |
101
90 |
65
5A |
| 55 |
Потребляемый ток при средней нагрузке на максимальной частоте |
-800
-600 |
148/2
125/2 |
4A
3F |
| 56 |
Потребляемый ток при максимальной нагрузке на fIMAX |
-800
-600 |
635/6
510/8 |
4F
3F |
| 57 |
Потребляемый ток в состоянии STBY на минимальной частоте (fIMIN) |
-800
-600 |
90
85 |
5A
55 |
| 58 |
Потребляемый ток при средней нагрузке на минимальной частоте |
-800
-600 |
125/2
115/2 |
3E
39 |
| 59 |
Потребляемый ток при максимальной нагрузке на fIMIN |
-800
-600 |
510/8
465/8 |
3F
3A |
| 60 |
Потребляемый ток в режиме "дремоты" |
-800
-600 |
4.2/0.128
4.2/0.128 |
20
20 |
| 61 |
Зарезервировано для будущего параметра термоконтроля |
N/A |
N/A |
00 |
| 62 |
Зарезервировано для будущего параметра термоконтроля |
N/A |
N/A |
00 |
| 63 |
Контрольная сумма байт 0-62 |
N/A |
Checksum |
kk |
| 64 |
Код производителя модуля памяти, согласно JEP106 |
N/A |
Micron |
2C |
| 65-71 |
Идентификационный код JEDEC по JEP106 (продолжение) |
N/A |
N/A |
00 |
| 72 |
Информация о производителе модуля |
N/A |
N/A |
00 |
| 73-90 |
Уникальный номер производителя модуля |
N/A |
N/A |
00 |
| 91-92 |
Код ревизии производителя модуля |
N/A |
N/A |
00 |
| 93 |
Год изготовления модуля |
N/A |
N/A |
00 |
| 94 |
Неделя изготовления модуля |
N/A |
N/A |
00 |
| 95-98 |
Серийный номер модуля |
N/A |
N/A |
00 |
| 99 |
Количество используемых микросхем памяти на модуле |
N/A |
8 |
08 |
| 100 |
Ширина шины данных модуля памяти |
x16
x18 |
16bit
18bit |
10
12 |
101
102
103
104 |
Уникальное управление микросхемами памяти, разрешающее их программирование в цикле инициализации |
N/A |
All 8 devices Enable |
FF
00
00
00 |
| 105 |
Напряжение питания и интерфейс питающего напряжения |
N/A |
2.5V, 1.8V |
10 |
| 106 |
Допустимое отклонение напряжения питания |
N/A |
5% DC
2% AC |
52 |
| 107-113 |
Зарезервировано |
N/A |
N/A |
00 |
| 114 |
Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=3 |
N/A |
N/A |
00 |
| 115 |
Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=4 |
N/A |
2/0 |
20 |
| 116 |
Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=5 |
N/A |
3/0 |
30 |
| 117 |
Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=6 |
N/A |
3/1 |
31 |
| 118 |
Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=7 |
N/A |
3/2 |
32 |
| 119 |
Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=8 |
N/A |
4/2 |
42 |
| 120 |
Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=9 |
N/A |
5/2 |
52 |
| 121 |
Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=10 |
N/A |
N/A |
00 |
| 122 |
Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=11 |
N/A |
N/A |
00 |
| 123 |
Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=12 |
N/A |
N/A |
00 |
| 124 |
Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=13 |
N/A |
N/A |
00 |
| 125 |
Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=14 |
N/A |
N/A |
00 |
| 126 |
Значение CDLY0/1 для значения tCDLY=15 |
N/A |
N/A |
00 |
| 127 |
Контрольная сумма байт 99-126 |
N/A |
Checksum |
pp |
