Чтобы определить тему этой статьи, хочу сказать, что она для тех из вас, кто хочет иметь 1 Гбайт и более оперативной памяти, а также для тех кто хочет получить больше fps в Q2, Sin,… , ну и просто для передовых юзеров. Вобщем для всех.
Я думаю, что все посетители нашего сайта знают, что модули оперативной памяти обычного компьютера вставлена в разьёмы SIMM или DIMM. Есть также ещё пока мало распространённые RIMM ( подробней см. статью о Rambus), ну а про RDIMM совсем мало, что слышно.
Для начала хочу сказать, что разработчиком памяти стандарта RDIMM являются IBM и Intel. Модули памяти для RDIMM SDRAM поддерживаются чипсетом BX, соответсвуют спецификации PC-100 и являются усовершенствованными, а точнее Регистровыми (Registered) DIMM SDRAM . Основное отличие RDIMM от обычных DIMM SDRAM заключается в пропускной способности (bandwith): 800 и 1600 Мбайт/сек (последняя цифра мне особенно нравится, так как первой уже наступают на пятки мощные 3D-приложения) и называются соответсвенно SDR (Single Data Rate) и DDR (Dual Data Rate) RDIMM SDRAM. Не путать DDR SDRAM с DR DRAM (отличается работой на чаcтототе до 800 MHz, выйдет во 2 квартале и будет дороже за счёт обязательного лицензирования).
Итак, IBM анонсировала модули такой памяти обьёмом 256 Мбайт, сделанной по технологии 0.20 мкм и имеющие плотность чипов в 4 раза больше, чем у обычных, что сделало возможным создание буферизированного 256 Мбайтного модуля памяти. Кстати, по заявлению той же IBM нет никаких преград для увеличения плотности записи в 8 раз выше обычной, а значит, есть теоритическая возможность создания буферизированных 512 Мбайтных модулей.
Теперь рассмотрим архитектуру DDR RDIMM SDRAM на примере 64 Мбайтных модулей. Для осуществления эффективного ввода/вывода данных устанавливаются конденсаторы (рядом с каждым чипом). Эти конденсаторы сделаны из новейших диэллектрических материалов. Что касается сроков запуска таких SDRAM в серию, то по заявлению IBM в ближайшее время на сайтах многих производителей появится информация об этом. Сама же IBM уже применяет модули RDIMM 64-256 Мбайт, а также небуферизированные модули обьемом 512 Мбайт в своих Hi-End системах серии Netfiniti. Ниже на рисунке 256-мегабайтноый модуль DDR SDRAM.
| SDR RDIMM | DDR RDIMM | |
|---|---|---|
| Время прерывания (циклов) (Burst length ) | 2, 4, 8 | 2, 4, 8 |
| Тип прерывания (Burst type) | последовательное чередование (sequential interleave) | последовательное чередование (sequential interleave) |
| Число тактов для работы с памятью (CAS latency) | 2, 3, 4 | 2, 2.5, 3 |
| Режим работы | Нормальный, Режим записи (single write), Режим тестирования (test mode) | Нормальный, Режим сброса операций DLL, Режим тестирования (test mode), Режим расширенного регистрирования (Extended register mode set), Включение/выключение операций DLL |
Из таблицы мы видим, что SDR является упрощенным вариантом DDR RDIMM SDRAM. Особенности DDR заключаются в следующем:
- Работа на частоте 125, 133 и 143 MHz за 2, 2,5 и 3 такта (CAS latency = 3), в зависимости от разновидности модулей
- Однотактовое формирование сигнала RAS (Signal-pulsed RAS interface)
- Встроенный блок DLL (Delay Locked Loop), который синхронизирует вывод информации с частотой ее ввода
- Возможность отключения блока DLL через функцию расширенного режима регистрирования (например для экономии питания)
- Удвоенная скорость обмена данных (DDR)
- Двунаправленный поток данных
- Полная синхронизация
- Программируемый тип и длина прерываний
- Прерывание операций чтения (специальной командой прерывания) и записи. Смена операций осуществляется последовательно
- Четыре банка (Bank) памяти
- Способность работы при пониженном потреблении питания
- Операции чтения и записи выполняются за 4 и 8 циклов (соответственно), операция контроля затрачивает удвоенное количество циклов на соответствующую операцию
- Произвольный доступ к столбцам (в памяти)
- Ждущий режим и режим пониженного питания
- 4096/8192 циклов обновления для 64 и 256 МБ модулей
- Автоматические, контролируемые команды дозарядки (Automatic and controlled precharge command). Энергия, подаваемая на модуль памяти может быть неодинаковой.
- Вольтаж: 3,3В
Данный набор характеристик не является окончательным перечнем характеристик DDR SDRAM для RDIMM, а потому может быть модифицирован в будущих стандартных DDR SDRAM, однако благодаря таким нововведения получаем: проускная способность на пин составляет 200 Мбайт (200Мбайт/пин).
Что касается появлнения такой памяти у нас на рынке, то пока известно только то что оптимизация такой оперативной памяти под BX-платы закончилась, в ближайшее время другие производители предоставят информацию о такой памти на своих сайтах. Да если вам интересно то можете сами помотреть новости, а если еще и кредитная карта с круглой суммой, то можете себе купить пару, тройку а лучше сразу четверку модулей RDIMM SDRAM (пока еще без DDR или SDR операций) прямо в online. Что касается рядового пользователя, обладателя материнки на BX, то покупка SDR или DDR SDRAM будет правильным решением в будущем году и не заставит вас делать апгрейд до K7 "в спешном порядке".
